ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶、ＧａＮ結晶基板、半導体装置およびＧａＮ結晶製造装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20080544184

申请日：

2007-11-14

公开(公告)号：

JPWO2008059901A1

公开(公告)日：

2010-03-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B19/10 H01L21/208

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

単結晶製造装置、及び単結晶製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011125891A1 ,2013-07-11

[2]

結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7688467B1 ,2025-06-04

[3]

結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7751354B1 ,2025-10-08

[4]

酸化物多結晶膜の製造方法、酸化物多結晶膜の製造装置[ja] [P].

NAKAJIMA TOMOHIKO ;

YAMAGUCHI IWAO ;

NOMOTO JUNICHI ;

KITANAKA YUKI .

日本专利 :JP2024080234A ,2024-06-13

[5]

ＳｉＣ単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015072136A1 ,2017-03-16

[6]

無機結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006132188A1 ,2009-01-08

[7]

天然結晶質着色剤および製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023011750A ,2023-01-24

[8]

炭化珪素単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014136903A1 ,2017-02-16

[9]

多結晶シリコンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019535625A ,2019-12-12

[10]

ＳｉＣ結晶成長用ＳｉＣ原料の製造方法及び製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP2019535632A ,2019-12-12

← 1 2 3 4 5 →