ヒ化ガリウム単結晶及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240562011

申请日：

2023-03-31

公开(公告)号：

JP2025513423A

公开(公告)日：

2025-04-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/42

IPC分类号：

C01B33/06 C30B11/00

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共 50 条

[1]

単結晶製造装置、及び単結晶製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011125891A1 ,2013-07-11

[2]

窒化ガリウム系焼結体及びその製造方法[ja] [P].

MESHIDA MASAMI ;

KURAMOCHI TOSHIHITO ;

TSUCHIDA HIRONARI .

日本专利 :JP2024040414A ,2024-03-25

[3]

窒化ガリウムの粉末及びその製造方法[ja] [P].

KUSUNOSE YOSHIRO ;

HARA SHINICHI ;

IIHAMA JUNYA ;

MESHIDA MASAMI .

日本专利 :JP2024177063A ,2024-12-19

[4]

窒化ガリウム粒子およびその製造方法[ja] [P].

MESHIDA MASAMI ;

KURAMOCHI TOSHIHITO ;

HARA SHINICHI .

日本专利 :JP2025078803A ,2025-05-20

[5]

多結晶立方晶窒化ホウ素及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019515864A ,2019-06-13

[6]

ＳｉＣ単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015072136A1 ,2017-03-16

[7]

ＳｉＣ単結晶ウエハーとその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011024931A1 ,2013-01-31

[8]

化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6624110B2 ,2019-12-25

[9]

化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6623736B2 ,2019-12-25

[10]

ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017006597A1 ,2018-05-24

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