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半導体レーザ・ダイオード、半導体レーザ・ダイオードを製造するための方法および半導体レーザ・ダイオード装置[ja]
被引：0
申请号：
JP20160540635
申请日：
2014-12-08
公开(公告)号：
JP2017502512A
公开(公告)日：
2017-01-19
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01S5/028
IPC分类号：
B32B7/02
B32B9/00
B32B15/04
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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