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集積トランジスタデバイスのシリサイド構造、および当該シリサイド構造を提供する方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200532012
申请日
:
2018-02-08
公开(公告)号
:
JP2021518050A
公开(公告)日
:
2021-07-29
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L29/41
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
医療デバイス、および、医療デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172316A
,2025-11-26
[2]
半導体構造、半導体デバイス、および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024528477A
,2024-07-30
[3]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019102990A1
,2019-11-21
[4]
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6526938B1
,2019-06-05
[5]
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010061721A1
,2012-04-26
[6]
多孔質シリコン材料、蓄電デバイス及び多孔質シリコン材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025135773A
,2025-09-19
[7]
多孔質シリコン材料、蓄電デバイス及び多孔質シリコン材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025135799A
,2025-09-19
[8]
ポリイミドワニス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019026806A1
,2020-02-06
[9]
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5779290B1
,2015-09-16
[10]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018016262A1
,2019-04-04
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