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半導体構造、半導体デバイス、および方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230579324
申请日
:
2022-06-22
公开(公告)号
:
JP2024528477A
公开(公告)日
:
2024-07-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L31/10
IPC分类号
:
H01L21/316
H01L21/329
H01L29/24
H01L29/861
H01L33/22
H01L33/30
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体材料、および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019102314A1
,2020-11-26
[2]
半導体デバイスおよびその作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007138693A1
,2009-10-01
[3]
半導体接合素子およびそれを用いた半導体デバイス、並びに半導体接合素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012039265A1
,2014-02-03
[4]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019048984A1
,2020-11-05
[5]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092541A1
,2020-11-19
[6]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
[7]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006009025A1
,2008-05-01
[8]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAGAI MASATSUGU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
NAGAI MASATSUGU
;
SATO SHINGO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SATO SHINGO
.
日本专利
:JP2024124977A
,2024-09-13
[9]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
ARAKAWA SHOHEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
ARAKAWA SHOHEI
;
OSADA YUTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OSADA YUTA
.
日本专利
:JP2024044633A
,2024-04-02
[10]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011033665A1
,2013-02-07
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