半導体構造、半導体デバイス、および方法[ja]

被引:0
申请号
JP20230579324
申请日
2022-06-22
公开(公告)号
JP2024528477A
公开(公告)日
2024-07-30
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L31/10
IPC分类号
H01L21/316 H01L21/329 H01L29/24 H01L29/861 H01L33/22 H01L33/30
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半導体材料、および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26
[2]
半導体デバイスおよびその作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007138693A1 ,2009-10-01
[4]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019048984A1 ,2020-11-05
[5]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019092541A1 ,2020-11-19
[6]
[7]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006009025A1 ,2008-05-01
[8]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
NAGAI MASATSUGU ;
SATO SHINGO .
日本专利 :JP2024124977A ,2024-09-13
[9]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
ARAKAWA SHOHEI ;
OSADA YUTA .
日本专利 :JP2024044633A ,2024-04-02
[10]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011033665A1 ,2013-02-07