半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]

被引:0
申请号
JP20190540730
申请日
2018-08-28
公开(公告)号
JPWO2019048984A1
公开(公告)日
2020-11-05
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/336 H01L21/8234 H01L27/06 H01L27/088 H01L29/788 H01L29/792 H10B12/00 H10B41/70
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019092541A1 ,2020-11-19
[2]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020084406A1 ,2021-10-28
[3]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020115595A1 ,2021-12-23
[4]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019220266A1 ,2021-06-10
[5]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019048983A1 ,2020-10-15
[6]
半導体装置および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004040648A1 ,2006-03-02
[7]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018224912A1 ,2020-06-25
[8]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019111091A1 ,2020-12-03
[9]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020109923A1 ,2021-12-09
[10]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019171196A1 ,2021-02-25