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金属電極及びこれを用いた半導体素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090544742
申请日
:
2008-12-05
公开(公告)号
:
JPWO2009072611A1
公开(公告)日
:
2011-04-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/78
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/8234
H01L21/8238
H01L27/088
H01L27/092
H01L29/423
H01L29/49
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電極、その製造方法およびそれを用いた半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005057641A1
,2007-07-05
[2]
分圧回路及びそれを用いた半導体装置[ja]
[P].
KATO SHINJIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ABLIC INC
ABLIC INC
KATO SHINJIRO
.
日本专利
:JP2025088690A
,2025-06-11
[3]
導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003081609A1
,2005-07-28
[4]
半導体素子収納用パッケージ、これを備えた半導体装置および電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013015216A1
,2015-02-23
[5]
熱抵抗体ならびにこれを用いた半導体装置および電気装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007141987A1
,2009-10-15
[6]
金属膜形成用前駆体組成物、これを用いた金属膜形成方法、及び前記金属膜を含む半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2022511849A
,2022-02-01
[7]
金属膜形成用前駆体組成物、これを用いた金属膜形成方法、及び前記金属膜を含む半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP7262912B2
,2023-04-24
[8]
金属膜用研磨液及びそれを用いた半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003021651A1
,2004-12-24
[9]
金属膜用研磨液及びこれを用いた研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009128430A1
,2011-08-04
[10]
半導体素子接合体、半導体装置、及び半導体素子接合体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6437162B1
,2018-12-12
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