金属酸化物半導体ガスセンサ及びその製造方法[ja]

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申请号
JP20110248423
申请日
2011-11-14
公开(公告)号
JP5897306B2
公开(公告)日
2016-03-30
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G01N27/12
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010024387A1 ,2012-01-26
[2]
金属酸化物半導体ガスセンサ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6257106B2 ,2018-01-10
[5]
金属酸化物半導体式ガスセンサ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6128598B2 ,2017-05-17
[6]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018004008A1 ,2019-05-30
[7]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6117124B2 ,2017-04-19
[8]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6980116B2 ,2021-12-15
[9]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6994183B2 ,2022-01-14
[10]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020039971A1 ,2021-04-08