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金属酸化物半導体ガスセンサ及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110248423
申请日
:
2011-11-14
公开(公告)号
:
JP5897306B2
公开(公告)日
:
2016-03-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N27/12
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010024387A1
,2012-01-26
[2]
金属酸化物半導体ガスセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP6257106B2
,2018-01-10
[3]
一酸化炭素ガスセンサ用酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6590967B2
,2019-10-16
[4]
アンモニアガスセンサ用酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6590968B2
,2019-10-16
[5]
金属酸化物半導体式ガスセンサ[ja]
[P].
日本专利
:JP6128598B2
,2017-05-17
[6]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018004008A1
,2019-05-30
[7]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6117124B2
,2017-04-19
[8]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6980116B2
,2021-12-15
[9]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6994183B2
,2022-01-14
[10]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020039971A1
,2021-04-08
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