酸化物半導体装置及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20200538314
申请日
2019-08-08
公开(公告)号
JPWO2020039971A1
公开(公告)日
2021-04-08
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/872
IPC分类号
H01L21/329 H01L21/336 H01L29/06 H01L29/12 H01L29/24 H01L29/78 H01L29/861 H01L29/868
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6980116B2 ,2021-12-15
[2]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018004008A1 ,2019-05-30
[3]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6117124B2 ,2017-04-19
[4]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6994183B2 ,2022-01-14
[5]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6333004B2 ,2018-05-30
[7]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7065443B2 ,2022-05-12
[8]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018043503A1 ,2019-07-04
[9]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6951714B2 ,2021-10-20
[10]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018004009A1 ,2019-05-30