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酸化物半導体装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200538314
申请日
:
2019-08-08
公开(公告)号
:
JPWO2020039971A1
公开(公告)日
:
2021-04-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/872
IPC分类号
:
H01L21/329
H01L21/336
H01L29/06
H01L29/12
H01L29/24
H01L29/78
H01L29/861
H01L29/868
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6980116B2
,2021-12-15
[2]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018004008A1
,2019-05-30
[3]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6117124B2
,2017-04-19
[4]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6994183B2
,2022-01-14
[5]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6333004B2
,2018-05-30
[6]
酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7173070B2
,2022-11-16
[7]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7065443B2
,2022-05-12
[8]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018043503A1
,2019-07-04
[9]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6951714B2
,2021-10-20
[10]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018004009A1
,2019-05-30
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