酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140052318

申请日：

2014-03-14

公开(公告)号：

JP6333004B2

公开(公告)日：

2018-05-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C23C14/28 C23C14/58 C23C16/40 C23C16/44 C30B25/18

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共 50 条

[1]

酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018004008A1 ,2019-05-30

[2]

酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6117124B2 ,2017-04-19

[3]

酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6994183B2 ,2022-01-14

[4]

酸化物半導体膜、積層体及び酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7105703B2 ,2022-07-25

[5]

酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

TSUBUKI MASASHI ;

AKIMOTO KENGO ;

OHARA HIROKI ;

HONDA TATSUYA ;

KOMATA TAKASHI ;

NONAKA YUSUKE ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

MIYANAGA SHOJI .

日本专利 :JP2025072563A ,2025-05-09

[6]

酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7066658B2 ,2022-05-13

[7]

酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7615270B2 ,2025-01-16

[8]

酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6980116B2 ,2021-12-15

[9]

酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020039971A1 ,2021-04-08

[10]

酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7173070B2 ,2022-11-16

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