p型酸化物半導体及びその製造方法[ja]

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申请号
JP20180525323
申请日
2017-06-30
公开(公告)号
JPWO2018004009A1
公开(公告)日
2019-05-30
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/365
IPC分类号
H01L21/337 H01L21/338 H01L21/368 H01L29/12 H01L29/24 H01L29/739 H01L29/778 H01L29/78 H01L29/808 H01L29/812 H01L29/872
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018043503A1 ,2019-07-04
[2]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7065443B2 ,2022-05-12
[3]
p型酸化物半導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6951714B2 ,2021-10-20
[4]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018004008A1 ,2019-05-30
[5]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6117124B2 ,2017-04-19
[6]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6980116B2 ,2021-12-15
[7]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6994183B2 ,2022-01-14
[8]
酸化物半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020039971A1 ,2021-04-08
[9]
酸化物半導体膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6333004B2 ,2018-05-30