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一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310132970.6
申请日：
2023-02-09
公开(公告)号：
CN118455177A
公开(公告)日：
2024-08-09
发明(设计)人：
李亚松
李汉生
蔡雪良
申请人：
昆山中辰矽晶有限公司
申请人地址：
215316 江苏省昆山市玉山镇城北汉浦路303号
IPC主分类号：
B08B3/08
IPC分类号：
B08B3/04
B08B3/10
H01L21/02
H01L21/67
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-08-09 | 公开 | 公开 |