一种范德华异质结负折射聚焦器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210085143.1

申请日：

2022-01-25

公开(公告)号：

CN114442207B

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

戴庆胡海陈娜滕汉超

申请人：

国家纳米科学中心

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

G02B5/00

IPC分类号：

G02F1/015

代理机构：

北京恒律知识产权代理有限公司 11416

代理人：

庞立岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种范德华异质结负折射聚焦器件 [P].

戴庆 ;

胡海 ;

陈娜 ;

滕汉超 .

中国专利 :CN114442207A ,2022-05-06

[2]

一种波导集成的范德华异质结器件制备方法 [P].

李宁 ;

王嘉成 ;

贺婷 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN118016768B ,2024-08-16

[3]

一种波导集成的范德华异质结器件制备方法 [P].

李宁 ;

王嘉成 ;

贺婷 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN118016768A ,2024-05-10

[4]

一种范德华异质结器件及其制备方法和应用 [P].

何军 ;

尹蕾 ;

程瑞清 ;

王振兴 ;

王峰 .

中国专利 :CN109390388A ,2019-02-26

[5]

非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途 [P].

何军 ;

程瑞清 ;

王峰 .

中国专利 :CN109004016B ,2018-12-14

[6]

一种悬浮多电极范德华异质结电子器件及其制备方法 [P].

韩拯 ;

李小茜 ;

张桐耀 ;

闫宁 ;

沙铉哲 .

中国专利 :CN114655921A ,2022-06-24

[7]

顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件 [P].

何军 ;

黄文浩 ;

尹蕾 .

中国专利 :CN110323223A ,2019-10-11

[8]

一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法 [P].

戴庆 ;

胡海 ;

腾汉超 ;

陈娜 ;

曲云鹏 .

中国专利 :CN114114486A ,2022-03-01

[9]

一种石墨烯氧化钼异质结极化激元波前调控器件及方法 [P].

戴庆 ;

胡海 ;

腾汉超 ;

陈娜 ;

曲云鹏 .

中国专利 :CN114114486B ,2024-08-09

[10]

一种二维范德华异质结及其应用 [P].

罗洋辉 ;

王聪 ;

张岚 ;

林呈琪 ;

冯煜轩 ;

方文霞 ;

王佳莹 ;

孙伯旺 .

中国专利 :CN111282545B ,2020-06-16

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