一种MOS控制驱动震荡抑制电路

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202323236544.1
申请日
2023-11-29
公开(公告)号
CN221408708U
公开(公告)日
2024-07-23
发明(设计)人
佟炳然 姚婉荣 马聪聪 魏森
申请人
天津中科华盈科技有限公司
申请人地址
300300 天津市东丽区华明高新技术产业区华丰路6号G3座2-3层
IPC主分类号
H02P23/04
IPC分类号
H02P23/14 H02K11/30 H05K7/20 H05K1/02 H05K1/18
代理机构
天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226
代理人
刘东
法律状态
授权
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[1]
一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路 [P]. 
付战超 ;
张强 ;
佟天野 .
中国专利 :CN218387463U ,2023-01-24
[2]
一种MOS控制驱动电路 [P]. 
于霞 ;
孙福昌 ;
才媛媛 ;
遇广宇 ;
王秋敏 ;
臧凯峰 .
中国专利 :CN205092762U ,2016-03-16
[3]
一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P]. 
柳树渡 ;
李茂华 ;
孙志新 .
中国专利 :CN208656632U ,2019-03-26
[4]
一种MOS管驱动电压的控制电路 [P]. 
缪建民 .
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[5]
一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P]. 
柳树渡 ;
李茂华 ;
孙志新 .
中国专利 :CN208623641U ,2019-03-19
[6]
基于自激震荡的电源升压驱动与浪涌抑制电路 [P]. 
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[7]
MOS驱动电路 [P]. 
徐玮 .
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[8]
一种超结MOS管的抑制电路 [P]. 
胥海东 ;
杜戈阳 ;
曾斌强 .
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[9]
一种MOS管驱动电路 [P]. 
张桥桥 ;
陈康生 ;
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[10]
一种MOS管驱动电路 [P]. 
伍小林 ;
尹朝飞 ;
张保鑫 .
中国专利 :CN201937456U ,2011-08-17