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一种隔离栅碳化硅MOSFET器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202322893062.7
申请日：
2023-10-27
公开(公告)号：
CN221262384U
公开(公告)日：
2024-07-02
发明(设计)人：
王正
杨程
万胜堂
王坤
陈鸿骏
赵耀
王毅
申请人：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址：
225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/336
代理机构：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283
代理人：
郭翔
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
扬州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-02 | 授权 | 授权 |