一种平面栅碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421473385.9

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN222721863U

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

王正杨程裘俊庆王毅

申请人：

扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：

225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283

代理人：

郭翔

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅平面栅MOSFET的加工方法及碳化硅平面栅MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN114937601A ,2022-08-23

[2]

一种隔离栅碳化硅MOSFET器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

陈鸿骏 ;

赵耀 ;

王毅 .

中国专利 :CN221262384U ,2024-07-02

[3]

槽栅型碳化硅MOSFET器件及制备方法 [P].

邓小川 ;

万殊燕 ;

柏松 ;

李轩 ;

高蜀峰 ;

张波 .

中国专利 :CN109904220A ,2019-06-18

[4]

一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件 [P].

刘永 ;

冯浩 ;

单建安 .

中国专利 :CN221427742U ,2024-07-26

[5]

一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王珩宇 ;

盛况 ;

雷常威 .

中国专利 :CN119317152A ,2025-01-14

[6]

一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

王珩宇 ;

盛况 ;

雷常威 .

中国专利 :CN119317152B ,2025-04-15

[7]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[8]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

王亚男 ;

王正 ;

王毅 .

中国专利 :CN223666687U ,2025-12-12

[9]

一种碳化硅MOSFET器件 [P].

宫志伟 ;

闻永祥 ;

马新刚 .

中国专利 :CN222547916U ,2025-02-28

[10]

一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法 [P].

魏进 ;

刘思航 .

中国专利 :CN117497597A ,2024-02-02

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