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一种氮化镓栅极耐压结构及氮化镓器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202322983585.0
申请日：
2023-11-06
公开(公告)号：
CN221262382U
公开(公告)日：
2024-07-02
发明(设计)人：
司乙川
严慧
申请人：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请人地址：
215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
IPC主分类号：
H01L29/423
IPC分类号：
H01L29/778
H01L29/20
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
李柱雄
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-02 | 授权 | 授权 |