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制备高纯纳米多晶硅颗粒的装置及制备高纯纳米多晶硅颗粒的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710928955.7
申请日
:
2017-10-09
公开(公告)号
:
CN107673356B
公开(公告)日
:
2024-08-06
发明(设计)人
:
刘应宽
罗学涛
温卫东
甘传海
杨麒
马晓林
窦鹏
申请人
:
宁夏东梦能源股份有限公司
申请人地址
:
750002 宁夏回族自治区银川市金凤区亲水南街2号亲水商务中心302
IPC主分类号
:
C01B33/021
IPC分类号
:
代理机构
:
宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105
代理人
:
孙彦虎
法律状态
:
授权
国省代码
:
宁夏回族自治区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-08-06
授权
授权
2025-10-14
专利权的保全及其解除
专利权的保全IPC(主分类):C01B 33/021申请日:20171009授权公告日:20240806登记生效日:20250916
共 50 条
[1]
制备高纯纳米多晶硅颗粒的装置及制备高纯纳米多晶硅颗粒的方法
[P].
刘应宽
论文数:
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引用数:
0
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刘应宽
;
罗学涛
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罗学涛
;
温卫东
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温卫东
;
甘传海
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甘传海
;
杨麒
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杨麒
;
马晓林
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马晓林
;
窦鹏
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窦鹏
.
中国专利
:CN107673356A
,2018-02-09
[2]
利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置
[P].
皮孝东
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皮孝东
;
杨德仁
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杨德仁
;
韩庆荣
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韩庆荣
.
中国专利
:CN101559945A
,2009-10-21
[3]
用于制备高纯多晶硅的装置
[P].
柳翠
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柳翠
;
敖毅伟
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敖毅伟
.
中国专利
:CN201220975Y
,2009-04-15
[4]
用于制备高纯多晶硅的装置
[P].
柳翠
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柳翠
;
敖毅伟
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敖毅伟
.
中国专利
:CN101597061A
,2009-12-09
[5]
连续制备多晶高纯硅颗粒的方法
[P].
D·韦德豪斯
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D·韦德豪斯
;
R·豪斯维特
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R·豪斯维特
;
H·赫特莱因
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H·赫特莱因
.
中国专利
:CN101298329A
,2008-11-05
[6]
从硅藻制备高纯多晶硅的方法
[P].
陈雪刚
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陈雪刚
;
叶瑛
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叶瑛
;
黄元凤
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黄元凤
;
刘舒婷
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刘舒婷
;
朱旭恒
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朱旭恒
;
张奥博
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张奥博
;
李海晏
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李海晏
;
邵苏东
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邵苏东
;
张海燕
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张海燕
.
中国专利
:CN102275928A
,2011-12-14
[7]
低钛高纯多晶硅的制备方法
[P].
陈红雨
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陈红雨
;
卢东亮
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卢东亮
;
胡玉燕
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胡玉燕
.
中国专利
:CN101875494A
,2010-11-03
[8]
一种高纯多晶硅制备装置
[P].
袁磊
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袁磊
;
张晓东
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张晓东
;
杨晓明
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杨晓明
.
中国专利
:CN203159237U
,2013-08-28
[9]
多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备
[P].
手计晶之
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手计晶之
.
中国专利
:CN101495408A
,2009-07-29
[10]
制备多晶硅颗粒的方法和装置
[P].
金希泳
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金希泳
;
朴容起
论文数:
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朴容起
.
中国专利
:CN1172743C
,2002-08-14
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