用于制备高纯多晶硅的装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810038676.4
申请日
2008-06-06
公开(公告)号
CN101597061A
公开(公告)日
2009-12-09
发明(设计)人
柳翠 敖毅伟
申请人
申请人地址
201108上海市闵行区莘庄工业区申南路555号
IPC主分类号
C01B33033
IPC分类号
C30B2906 C30B2814
代理机构
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人
杨元焱
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于制备高纯多晶硅的装置 [P]. 
柳翠 ;
敖毅伟 .
中国专利 :CN201220975Y ,2009-04-15
[2]
从硅藻制备高纯多晶硅的方法 [P]. 
陈雪刚 ;
叶瑛 ;
黄元凤 ;
刘舒婷 ;
朱旭恒 ;
张奥博 ;
李海晏 ;
邵苏东 ;
张海燕 .
中国专利 :CN102275928A ,2011-12-14
[3]
一种高纯多晶硅制备装置 [P]. 
袁磊 ;
张晓东 ;
杨晓明 .
中国专利 :CN203159237U ,2013-08-28
[4]
制备高纯纳米多晶硅颗粒的装置及制备高纯纳米多晶硅颗粒的方法 [P]. 
刘应宽 ;
罗学涛 ;
温卫东 ;
甘传海 ;
杨麒 ;
马晓林 ;
窦鹏 .
中国专利 :CN107673356A ,2018-02-09
[5]
制备高纯纳米多晶硅颗粒的装置及制备高纯纳米多晶硅颗粒的方法 [P]. 
刘应宽 ;
罗学涛 ;
温卫东 ;
甘传海 ;
杨麒 ;
马晓林 ;
窦鹏 .
中国专利 :CN107673356B ,2024-08-06
[6]
低钛高纯多晶硅的制备方法 [P]. 
陈红雨 ;
卢东亮 ;
胡玉燕 .
中国专利 :CN101875494A ,2010-11-03
[7]
锌还原法制备高纯多晶硅的装置 [P]. 
李红波 ;
张滢清 ;
张愿成 ;
张玉霞 ;
贺珍俊 .
中国专利 :CN102557036A ,2012-07-11
[8]
锌还原法制备高纯多晶硅的装置 [P]. 
李红波 ;
张滢清 ;
张愿成 ;
张玉霞 ;
贺珍俊 .
中国专利 :CN201901598U ,2011-07-20
[9]
利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置 [P]. 
皮孝东 ;
杨德仁 ;
韩庆荣 .
中国专利 :CN101559945A ,2009-10-21
[10]
一种制备高纯多晶硅的还原设备 [P]. 
柳翠 ;
敖毅伟 .
中国专利 :CN201381229Y ,2010-01-13