一种制备高纯多晶硅的还原设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820153749.X

申请日：

2008-10-07

公开(公告)号：

CN201381229Y

公开(公告)日：

2010-01-13

发明(设计)人：

柳翠敖毅伟

申请人：

申请人地址：

201108上海市闵行区莘庄工业区申南路555号

IPC主分类号：

C01B33027

IPC分类号：

代理机构：

上海航天局专利中心

代理人：

金家山

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101360317708 IPC(主分类):C01B 33/027 专利号:ZL200820153749X 申请日:20081007 授权公告日:20100113 终止日期:20111007
2010-01-13	授权	授权

共 50 条

[1]

用于制备高纯多晶硅的装置 [P].

柳翠 ;

敖毅伟 .

中国专利 :CN201220975Y ,2009-04-15

[2]

高纯多晶硅生产用还原炉电极 [P].

周积卫 ;

茅陆荣 ;

吴海龙 ;

程佳彪 .

中国专利 :CN203498097U ,2014-03-26

[3]

锌还原法制备高纯多晶硅的装置 [P].

李红波 ;

张滢清 ;

张愿成 ;

张玉霞 ;

贺珍俊 .

中国专利 :CN201901598U ,2011-07-20

[4]

一种高纯多晶硅制备装置 [P].

袁磊 ;

张晓东 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN203159237U ,2013-08-28

[5]

用于制备高纯多晶硅的装置 [P].

柳翠 ;

敖毅伟 .

中国专利 :CN101597061A ,2009-12-09

[6]

一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法 [P].

王清华 .

中国专利 :CN110078079A ,2019-08-02

[7]

锌还原法制备高纯多晶硅的装置 [P].

李红波 ;

张滢清 ;

张愿成 ;

张玉霞 ;

贺珍俊 .

中国专利 :CN102557036A ,2012-07-11

[8]

多晶硅还原炉的底盘和多晶硅还原炉 [P].

韩锋 ;

田新 ;

史言回 ;

孟锦 ;

桑九龙 ;

张思楠 ;

卢文 .

中国专利 :CN216737605U ,2022-06-14

[9]

一种多晶硅还原炉底盘以及多晶硅还原炉 [P].

王文 ;

银波 ;

刘兴平 ;

范协诚 ;

冯留建 ;

何隆 ;

穆凯代斯·太外库力 .

中国专利 :CN220999257U ,2024-05-24

[10]

一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅 [P].

马英中 ;

李峰 ;

王盼盼 ;

吕雄强 ;

董德智 ;

陈彦玺 ;

张彦辉 ;

路小卫 ;

马强龙 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115771896B ,2024-06-18

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