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气体喷头及薄膜沉积装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202323453577.1
申请日
:
2023-12-18
公开(公告)号
:
CN221440859U
公开(公告)日
:
2024-07-30
发明(设计)人
:
杨士逸
申请人
:
奥恒科技股份有限公司
申请人地址
:
中国香港
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/52
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
:
甄苗苗
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-07-30
授权
授权
共 50 条
[1]
气体喷淋组件及薄膜沉积装置
[P].
刘晨
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
无锡金源半导体科技有限公司
无锡金源半导体科技有限公司
刘晨
;
耿德会
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机构:
无锡金源半导体科技有限公司
无锡金源半导体科技有限公司
耿德会
;
赵旭日
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机构:
无锡金源半导体科技有限公司
无锡金源半导体科技有限公司
赵旭日
.
中国专利
:CN222313297U
,2025-01-07
[2]
气体喷头及沉积设备
[P].
杨士逸
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0
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0
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机构:
奥恒科技股份有限公司
奥恒科技股份有限公司
杨士逸
.
中国专利
:CN221398035U
,2024-07-23
[3]
薄膜沉积装置
[P].
黄常洙
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黄常洙
;
李愚嗔
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李愚嗔
;
河周一
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河周一
;
申奇照
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申奇照
;
李敦熙
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李敦熙
.
中国专利
:CN204714899U
,2015-10-21
[4]
薄膜沉积装置
[P].
杨与胜
论文数:
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0
杨与胜
;
张迎春
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张迎春
.
中国专利
:CN201183822Y
,2009-01-21
[5]
薄膜沉积设备及气体供给装置
[P].
程诗垚
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程诗垚
;
宋海
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宋海
;
王秉国
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王秉国
;
蒲浩
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蒲浩
;
刘松
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刘松
;
王启光
论文数:
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王启光
.
中国专利
:CN109722651A
,2019-05-07
[6]
气体喷淋结构及薄膜沉积装置
[P].
刘晨
论文数:
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机构:
无锡金源半导体科技有限公司
无锡金源半导体科技有限公司
刘晨
.
中国专利
:CN118422168A
,2024-08-02
[7]
气体喷淋结构及薄膜沉积装置
[P].
刘晨
论文数:
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机构:
无锡金源半导体科技有限公司
无锡金源半导体科技有限公司
刘晨
.
中国专利
:CN118422168B
,2024-11-19
[8]
抽气上盖、气体传输机构及薄膜沉积装置
[P].
陈庆尧
论文数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
陈庆尧
;
吴凤丽
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
吴凤丽
;
刘振
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
刘振
;
白海健
论文数:
0
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
白海健
;
杨天奇
论文数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
杨天奇
;
卜夺夺
论文数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
卜夺夺
.
中国专利
:CN221940608U
,2024-11-01
[9]
薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备
[P].
朱志君
论文数:
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
朱志君
;
王晖
论文数:
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
王晖
;
金京俊
论文数:
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
金京俊
.
中国专利
:CN120193262A
,2025-06-24
[10]
气相沉积气体喷头
[P].
吴铭钦
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吴铭钦
;
刘峰
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刘峰
;
陈荣钧
论文数:
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陈荣钧
.
中国专利
:CN213388889U
,2021-06-08
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