离子发生装置、质谱仪以及产生离子的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211666403.0

申请日：

2022-12-23

公开(公告)号：

CN118248523A

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

孙文剑耿智

申请人：

株式会社岛津制作所

申请人地址：

日本国京都府

IPC主分类号：

H01J49/16

IPC分类号：

H01J49/26

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

刘振绮;毛立群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	公开	公开
2024-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 49/16申请日:20221223

共 50 条

[1]

离子源、质谱仪系统以及产生离子的方法 [P].

J·E·布莱辛 ;

J·莱斯利 ;

J·H·贝蒂 .

中国专利 :CN110770876B ,2020-02-07

[2]

一种离子源装置、产生离子脉冲的方法、应用和质谱仪 [P].

王中林 ;

訾云龙 ;

李安寅 ;

郭恒宇 ;

F·M·费尔南德兹 .

中国专利 :CN106876240A ,2017-06-20

[3]

一种脉冲式离子源、质谱仪及产生离子的方法 [P].

龙涛 ;

包泽民 ;

王培智 ;

曾小辉 ;

张玉海 ;

刘敦一 .

中国专利 :CN103531432B ,2014-01-22

[4]

离子导引装置以及质谱仪 [P].

张小强 ;

郭康 .

日本专利 :CN120854253A ,2025-10-28

[5]

用于产生离子的陶瓷电极结构和使用它的离子发生装置 [P].

朴来垠 ;

河恩珠 ;

权埈铉 .

中国专利 :CN100420111C ,2006-02-01

[6]

离子发生装置、离子发生方法以及离子发生用靶 [P].

小岛完兴 ;

榊泰直 ;

宫武立彦 ;

近藤公伯 ;

黑木宏芳 ;

清水祐辅 ;

原田寿典 ;

井上典洋 .

日本专利 :CN120266246A ,2025-07-04

[7]

离子发生装置以及离子发生装置的制造方法 [P].

冈野哲之 ;

江崎哲也 ;

松山贵洋 ;

大江信之 ;

山下光义 ;

谷口三奈子 .

中国专利 :CN108780982B ,2018-11-09

[8]

离子光学装置、质谱仪以及离子操作方法 [P].

孙文剑 ;

张小强 .

中国专利 :CN113066713A ,2021-07-02

[9]

离子发生元件、离子发生器以及离子发生装置 [P].

伊达和治 ;

坂井孝江 .

中国专利 :CN104541419B ,2015-04-22

[10]

离子发生装置以及离子发生器 [P].

中林隆志 ;

林悠 .

中国专利 :CN108352681B ,2018-07-31

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