利用光泵浦太赫兹探测表征氮化镓载流子迁移率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411283932.1

申请日：

2024-09-13

公开(公告)号：

CN118777253A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

张逸竹张邯明曲秋红杨方旭孙晓东

申请人：

天津大学四川创新研究院四川莱仪特天瓴科技有限公司

申请人地址：

610218 四川省成都市天府新经济产业园B6号楼13层

IPC主分类号：

G01N21/3586

IPC分类号：

代理机构：

天津创展知识产权代理事务所(普通合伙) 12261

代理人：

赵晓辉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G01N 21/3586申请公布日:20241015
2024-10-15	公开	公开
2024-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/3586申请日:20240913

共 50 条

[1]

提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 [P].

赵德刚 ;

朱建军 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101192518A ,2008-06-04

[2]

载流子迁移率的提取方法 [P].

许军 ;

梁仁荣 ;

王敬 .

中国专利 :CN101840458A ,2010-09-22

[3]

基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器及其制备方法 [P].

侯皓文 .

中国专利 :CN105590986B ,2016-05-18

[4]

改善器件载流子迁移率的方法 [P].

吴天承 ;

郭振强 ;

王冉阳 .

中国专利 :CN117995779A ,2024-05-07

[5]

一种光泵浦太赫兹探测方法及系统 [P].

张伟 ;

邹政 ;

肖梓杰 ;

钟健斌 ;

冯君仪 ;

梁元 .

中国专利 :CN120427565A ,2025-08-05

[6]

载流子迁移率的检测装置及检测方法 [P].

王成 .

中国专利 :CN117705768A ,2024-03-15

[7]

载流子迁移率的计算方法和装置 [P].

王新 ;

高文琳 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN117233568B ,2024-02-13

[8]

生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 [P].

王晓亮 ;

胡国新 ;

王军喜 ;

李建平 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN1704506A ,2005-12-07

[9]

载流子迁移率的测量装置和测量方法 [P].

王成 .

中国专利 :CN117630615A ,2024-03-01

[10]

提高MOS晶体管载流子迁移率的方法 [P].

唐兆云 ;

何有丰 .

中国专利 :CN101958249A ,2011-01-26

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