锂离子传导体、片和蓄电装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380020100.8
申请日
2023-01-31
公开(公告)号
CN118575232A
公开(公告)日
2024-08-30
发明(设计)人
近藤淳平 片冈和树 宫本卓 彦坂英昭
申请人
日本特殊陶业株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01B1/08
IPC分类号
H01B1/06 H01G11/54 H01G11/56 H01G11/60 H01G11/62 H01M10/056
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
杨海荣;曲盛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
离子传导体、蓄电装置和离子传导体的制造方法 [P]. 
近藤彩子 ;
狮子原大介 ;
竹内雄基 ;
宫本卓 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN113439311A ,2021-09-24
[2]
锂离子传导体、锂离子电池和锂离子传导体的制造方法 [P]. 
南圭一 .
日本专利 :CN119384703A ,2025-01-28
[3]
离子传导体和蓄电设备 [P]. 
竹内雄基 ;
打田真人 ;
伊贺悠太 ;
狮子原大介 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN112088409A ,2020-12-15
[4]
离子传导体、复合体、片、电极、隔膜和蓄电器件 [P]. 
竹内雄基 ;
阪口雅树 .
日本专利 :CN120641999A ,2025-09-12
[5]
离子传导体 [P]. 
高明天 ;
山内昭佳 .
中国专利 :CN101040350A ,2007-09-19
[6]
离子传导体和锂电池 [P]. 
狮子原大介 ;
竹内雄基 ;
近藤彩子 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN111868840B ,2020-10-30
[7]
离子传导体 [P]. 
高明天 ;
山内昭佳 ;
横谷幸治 .
中国专利 :CN101331556A ,2008-12-24
[8]
离子传导体的制造方法 [P]. 
岛田昌宏 ;
伊藤智裕 ;
香取亚希 ;
宇根本笃 ;
折茂慎一 .
中国专利 :CN108475565A ,2018-08-31
[9]
离子传导性粉末、离子传导性成型体和蓄电设备 [P]. 
竹内雄基 ;
狮子原大介 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN112041272A ,2020-12-04
[10]
锂离子传导性陶瓷材料、锂离子传导性陶瓷体和锂电池 [P]. 
竹内雄基 ;
狮子原大介 ;
彦坂英昭 ;
水谷秀俊 .
中国专利 :CN110574207B ,2019-12-13