一种一维/二维石墨烯纳米带/单层碲化银垂直异质结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410466590.0

申请日：

2024-04-18

公开(公告)号：

CN118360661A

公开(公告)日：

2024-07-19

发明(设计)人：

卢建臣张永蔡金明

申请人：

昆明理工大学

申请人地址：

650031 云南省昆明市一二一大街文昌路68号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/02 C23C14/34 C23C14/16 C23C14/58 C30B33/02

代理机构：

昆明鼎极知识产权代理事务所(普通合伙) 53228

代理人：

张云

法律状态：

公开

国省代码：

云南省昆明市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-19	公开	公开
2024-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20240418

共 50 条

[1]

一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用 [P].

甘霖 ;

李奥炬 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111403475B ,2020-07-10

[2]

一种二维单层石墨烯的制备方法 [P].

王贤保 ;

游海军 ;

李名剑 ;

余自勇 .

中国专利 :CN100551822C ,2008-03-12

[3]

一种石墨烯二维异质结柔性器件结构及其制备方法 [P].

白宇 ;

赵东辉 ;

周鹏伟 .

中国专利 :CN109285891A ,2019-01-29

[4]

二维石墨烯及其制备方法 [P].

龙珍 ;

毋伟 ;

周向飞 ;

田杰 ;

张祖融 .

中国专利 :CN107381559A ,2017-11-24

[5]

一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法 [P].

卢建臣 ;

张永 ;

蔡金明 ;

高蕾 ;

孙丽 .

中国专利 :CN119551664A ,2025-03-04

[6]

一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法 [P].

卢建臣 ;

张永 ;

蔡金明 ;

高蕾 ;

孙丽 .

中国专利 :CN119551664B ,2025-11-25

[7]

一种二维石墨烯及其制备方法、应用 [P].

蔺子甄 ;

赵志国 ;

赵东明 ;

肖平 ;

张赟 ;

王立闯 ;

蔡子贺 ;

赵政晶 ;

王兴涛 ;

张迟 ;

周养盈 ;

石从波 ;

秦校军 .

中国专利 :CN116375012B ,2025-03-04

[8]

一种二维超薄石墨烯纳米片及其制备方法 [P].

侯春朝 ;

刘明旭 ;

谢云晖 ;

刘浩婧 .

中国专利 :CN119191281B ,2025-08-29

[9]

一种二维超薄石墨烯纳米片及其制备方法 [P].

侯春朝 ;

刘明旭 ;

谢云晖 ;

刘浩婧 .

中国专利 :CN119191281A ,2024-12-27

[10]

一种单层二硫化锡薄膜及其二维异质结和制备方法 [P].

周颖慧 ;

林高翔 ;

占林杰 ;

卢捷 ;

郑韬 ;

黄俊杰 ;

张悦 ;

蔡伟伟 .

中国专利 :CN111106166A ,2020-05-05

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