一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411772488.X
申请日
2024-12-04
公开(公告)号
CN119551664A
公开(公告)日
2025-03-04
发明(设计)人
卢建臣 张永 蔡金明 高蕾 孙丽
申请人
昆明理工大学
申请人地址
650031 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
IPC主分类号
C01B32/184
IPC分类号
C01B19/00 B82Y40/00 B82Y30/00
代理机构
昆明鼎极知识产权代理事务所(普通合伙) 53228
代理人
张云
法律状态
授权
国省代码
云南省 昆明市
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共 50 条
[1]
一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法 [P]. 
卢建臣 ;
张永 ;
蔡金明 ;
高蕾 ;
孙丽 .
中国专利 :CN119551664B ,2025-11-25
[2]
一种半导体石墨烯纳米带及其制备方法 [P]. 
蔡文思 ;
武治辰 .
中国专利 :CN120887413A ,2025-11-04
[3]
一种半导体石墨烯纳米带及其制备方法与应用 [P]. 
宋爱民 ;
李虎 .
中国专利 :CN113148989B ,2021-07-23
[4]
聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用 [P]. 
李炳生 ;
宋仁静 ;
王月飞 ;
刘益春 .
中国专利 :CN115101680A ,2022-09-23
[5]
聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用 [P]. 
李炳生 ;
宋仁静 ;
王月飞 ;
刘益春 .
中国专利 :CN115101680B ,2025-01-14
[6]
一种石墨烯/石墨烯纳米带复合水凝胶及其制备方法 [P]. 
刘天西 ;
顾华昊 ;
樊玮 ;
张由芳 ;
左立增 ;
张龙生 ;
鄢家杰 .
中国专利 :CN105271204A ,2016-01-27
[7]
一种一维/二维石墨烯纳米带/单层碲化银垂直异质结构及其制备方法 [P]. 
卢建臣 ;
张永 ;
蔡金明 .
中国专利 :CN118360661A ,2024-07-19
[8]
石墨烯纳米带复合结构及其制备方法 [P]. 
张天夫 ;
张立辉 ;
金元浩 ;
李群庆 ;
范守善 .
中国专利 :CN114604865B ,2024-03-01
[9]
石墨烯纳米带复合结构及其制备方法 [P]. 
张天夫 ;
张立辉 ;
金元浩 ;
李群庆 ;
范守善 .
中国专利 :CN114604865A ,2022-06-10
[10]
石墨烯纳米带及其制备方法 [P]. 
周明杰 ;
袁新生 ;
王要兵 ;
刘大喜 .
中国专利 :CN103833024A ,2014-06-04