聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用

被引:0
申请号
CN202210552752.3
申请日
2022-05-21
公开(公告)号
CN115101680A
公开(公告)日
2022-09-23
发明(设计)人
李炳生 宋仁静 王月飞 刘益春
申请人
申请人地址
130024 吉林省长春市南关区人民大街5268号
IPC主分类号
H01L5148
IPC分类号
H01L5146 H01L5142
代理机构
深圳云海专利代理事务所(特殊普通合伙) 44846
代理人
王天桂
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用 [P]. 
李炳生 ;
宋仁静 ;
王月飞 ;
刘益春 .
中国专利 :CN115101680B ,2025-01-14
[2]
聚吡咯-石墨烯/聚氨酯防污涂料、其制备方法和应用 [P]. 
王君 ;
唐嘉玮 ;
陈蓉蓉 ;
朱佳慧 ;
刘培礼 ;
于静 ;
孙高辉 ;
刘婧媛 ;
刘琦 .
中国专利 :CN113913100B ,2022-01-11
[3]
石墨烯-聚吡咯/铂纳米修饰玻碳电极及其制备方法和应用 [P]. 
卢小泉 ;
赵文高 ;
周喜斌 .
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[4]
一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法 [P]. 
卢建臣 ;
张永 ;
蔡金明 ;
高蕾 ;
孙丽 .
中国专利 :CN119551664A ,2025-03-04
[5]
一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法 [P]. 
卢建臣 ;
张永 ;
蔡金明 ;
高蕾 ;
孙丽 .
中国专利 :CN119551664B ,2025-11-25
[6]
石墨烯‑聚吡咯复合气凝胶及其制备方法与应用 [P]. 
张学同 ;
孙瑞 .
中国专利 :CN105368045B ,2016-03-02
[7]
半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法 [P]. 
马克·凯纳德 ;
克里斯托夫·菲盖 .
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[8]
调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用 [P]. 
金奕千 ;
彭苏萍 .
中国专利 :CN112875688A ,2021-06-01
[9]
石墨烯金属复合导体及其制备方法和应用 [P]. 
李志博 ;
黄辉忠 ;
王景凯 .
中国专利 :CN118854105A ,2024-10-29
[10]
聚吡咯/Fe3O4/石墨烯复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
袁兴中 ;
王侯 ;
陈晓红 ;
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曾光明 .
中国专利 :CN104190385A ,2014-12-10