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聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用
被引:0
申请号
:
CN202210552752.3
申请日
:
2022-05-21
公开(公告)号
:
CN115101680A
公开(公告)日
:
2022-09-23
发明(设计)人
:
李炳生
宋仁静
王月飞
刘益春
申请人
:
申请人地址
:
130024 吉林省长春市南关区人民大街5268号
IPC主分类号
:
H01L5148
IPC分类号
:
H01L5146
H01L5142
代理机构
:
深圳云海专利代理事务所(特殊普通合伙) 44846
代理人
:
王天桂
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-23
公开
公开
共 50 条
[1]
聚吡咯@石墨烯/半导体异质结构及其制备方法和应用
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
李炳生
;
宋仁静
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机构:
东北师范大学
东北师范大学
宋仁静
;
论文数:
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机构:
王月飞
;
论文数:
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机构:
刘益春
.
中国专利
:CN115101680B
,2025-01-14
[2]
聚吡咯-石墨烯/聚氨酯防污涂料、其制备方法和应用
[P].
王君
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王君
;
唐嘉玮
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唐嘉玮
;
陈蓉蓉
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陈蓉蓉
;
朱佳慧
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朱佳慧
;
刘培礼
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刘培礼
;
于静
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于静
;
孙高辉
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孙高辉
;
刘婧媛
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刘婧媛
;
刘琦
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刘琦
.
中国专利
:CN113913100B
,2022-01-11
[3]
石墨烯-聚吡咯/铂纳米修饰玻碳电极及其制备方法和应用
[P].
卢小泉
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卢小泉
;
赵文高
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赵文高
;
周喜斌
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周喜斌
.
中国专利
:CN102361087A
,2012-02-22
[4]
一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法
[P].
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机构:
卢建臣
;
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机构:
张永
;
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机构:
蔡金明
;
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机构:
高蕾
;
孙丽
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机构:
昆明理工大学
昆明理工大学
孙丽
.
中国专利
:CN119551664A
,2025-03-04
[5]
一种石墨烯纳米带/硒化铜半导体异质结构及其制备方法
[P].
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机构:
卢建臣
;
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机构:
张永
;
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机构:
蔡金明
;
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机构:
高蕾
;
孙丽
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机构:
昆明理工大学
昆明理工大学
孙丽
.
中国专利
:CN119551664B
,2025-11-25
[6]
石墨烯‑聚吡咯复合气凝胶及其制备方法与应用
[P].
张学同
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张学同
;
孙瑞
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孙瑞
.
中国专利
:CN105368045B
,2016-03-02
[7]
半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法
[P].
马克·凯纳德
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马克·凯纳德
;
克里斯托夫·菲盖
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克里斯托夫·菲盖
.
中国专利
:CN101140864A
,2008-03-12
[8]
调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用
[P].
金奕千
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金奕千
;
彭苏萍
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彭苏萍
.
中国专利
:CN112875688A
,2021-06-01
[9]
石墨烯金属复合导体及其制备方法和应用
[P].
李志博
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机构:
浙江正泰电器股份有限公司
浙江正泰电器股份有限公司
李志博
;
黄辉忠
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机构:
浙江正泰电器股份有限公司
浙江正泰电器股份有限公司
黄辉忠
;
王景凯
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机构:
浙江正泰电器股份有限公司
浙江正泰电器股份有限公司
王景凯
.
中国专利
:CN118854105A
,2024-10-29
[10]
聚吡咯/Fe3O4/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
[P].
袁兴中
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袁兴中
;
王侯
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王侯
;
陈晓红
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陈晓红
;
吴艳
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吴艳
;
王惠
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王惠
;
曾光明
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曾光明
.
中国专利
:CN104190385A
,2014-12-10
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