光半导体装置以及光半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880099480.8

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN113169521B

公开(公告)日：

2024-06-14

发明(设计)人：

前原宏昭渊田步

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5/227

IPC分类号：

H01S5/12

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋;王培超

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

渊田步 .

中国专利 :CN113169521A ,2021-07-23

[2]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

黑川宗高 ;

上坂胜己 ;

上村浩 .

日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17

[3]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

井上大辅 ;

青山康之祐 .

中国专利 :CN118739028A ,2024-10-01

[4]

光半导体装置的制造方法以及光半导体装置 [P].

丸山司 ;

新木隆司 ;

宫地岳广 .

中国专利 :CN114467187A ,2022-05-10

[5]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 ;

石黒永孝 ;

浦健太 .

中国专利 :CN109690796B ,2019-04-26

[6]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

河原弘幸 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN112913095A ,2021-06-04

[7]

光半导体装置、光模块以及光半导体装置的制造方法 [P].

小川喜之 .

中国专利 :CN112913092A ,2021-06-04

[8]

光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法 [P].

稻田智志 ;

大野健一 ;

皆见健史 ;

村上朱实 ;

早川纯一朗 ;

大塚勤 .

中国专利 :CN113711366A ,2021-11-26

[9]

光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法 [P].

稻田智志 ;

大野健一 ;

皆见健史 ;

村上朱实 ;

早川纯一朗 ;

大塚勤 .

日本专利 :CN113711366B ,2024-09-10

[10]

光半导体装置的制造方法和光半导体装置 [P].

小早川正彦 .

中国专利 :CN106935575B ,2017-07-07

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