光半导体装置的制造方法和光半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610895479.9

申请日：

2016-10-13

公开(公告)号：

CN106935575B

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

小早川正彦

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L25075

IPC分类号：

H01L3348 H01L3354

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-18	授权	授权
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738376366 IPC(主分类):H01L 25/075 专利申请号:2016108954799 申请日:20161013
2017-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

黑川宗高 ;

上坂胜己 ;

上村浩 .

日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17

[2]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 ;

新关彰一 .

中国专利 :CN109643748A ,2019-04-16

[3]

光半导体装置的制造方法及光半导体装置 [P].

东内智子 ;

高根信明 ;

山浦格 ;

稻田麻希 ;

横田弘 .

中国专利 :CN104350620A ,2015-02-11

[4]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

渊田步 .

中国专利 :CN113169521A ,2021-07-23

[5]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 .

中国专利 :CN110521011B ,2019-11-29

[6]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

渊田步 .

日本专利 :CN113169521B ,2024-06-14

[7]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

井上大辅 ;

青山康之祐 .

中国专利 :CN118739028A ,2024-10-01

[8]

光半导体装置的制造方法以及光半导体装置 [P].

丸山司 ;

新木隆司 ;

宫地岳广 .

中国专利 :CN114467187A ,2022-05-10

[9]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 ;

石黒永孝 ;

浦健太 .

中国专利 :CN109690796B ,2019-04-26

[10]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

河原弘幸 ;

中井荣治 .

中国专利 :CN112913095A ,2021-06-04

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