光半导体装置的制造方法及光半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380029860.1

申请日：

2013-06-06

公开(公告)号：

CN104350620A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

东内智子高根信明山浦格稻田麻希横田弘

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘凤岭;陈建全

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/62 申请公布日:20150211
2015-02-11	公开	公开
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601515269 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2013800298601 申请日:20130606

共 50 条

[1]

光半导体装置 [P].

东内智子 ;

高根信明 ;

山浦格 ;

稻田麻希 ;

横田弘 .

中国专利 :CN104364922A ,2015-02-18

[2]

光半导体装置及其制造方法、光半导体模块 [P].

杉森畅尚 .

中国专利 :CN102163671A ,2011-08-24

[3]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 ;

新关彰一 .

中国专利 :CN109643748A ,2019-04-16

[4]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 .

中国专利 :CN110521011B ,2019-11-29

[5]

光半导体装置的制造方法和光半导体装置 [P].

小早川正彦 .

中国专利 :CN106935575B ,2017-07-07

[6]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

黑川宗高 ;

上坂胜己 ;

上村浩 .

日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17

[7]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

渊田步 .

中国专利 :CN113169521A ,2021-07-23

[8]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

渊田步 .

日本专利 :CN113169521B ,2024-06-14

[9]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

井上大辅 ;

青山康之祐 .

中国专利 :CN118739028A ,2024-10-01

[10]

光半导体装置的制造方法以及光半导体装置 [P].

丸山司 ;

新木隆司 ;

宫地岳广 .

中国专利 :CN114467187A ,2022-05-10

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