保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380021952.9
申请日
2023-02-16
公开(公告)号
CN118696398A
公开(公告)日
2024-09-24
发明(设计)人
渡边康贵 上村和惠
申请人
琳得科株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21/301
IPC分类号
C08J5/18 C08K3/013 C08K5/5399 C08L63/00 C08L101/00
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
杨薇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118648089A ,2024-09-13
[2]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118696399A ,2024-09-24
[3]
保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P]. 
刘晏全 ;
陈灯桂 ;
郑亦杰 ;
王品胜 ;
林岳霆 ;
刘育铨 ;
林育琪 .
中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16
[4]
半导体保护膜形成用膜及半导体装置 [P]. 
平野孝 ;
吉田将人 .
中国专利 :CN102714186A ,2012-10-03
[5]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
稻男洋一 .
中国专利 :CN111279468A ,2020-06-12
[6]
保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、以及带保护膜的半导体芯片的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
山本大辅 ;
加太章生 .
中国专利 :CN113980535A ,2022-01-28
[7]
保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 [P]. 
稻男洋一 ;
小桥力也 ;
古野健太 .
中国专利 :CN108350108A ,2018-07-31
[8]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 [P]. 
稻男洋一 ;
小桥力也 .
中国专利 :CN111279463A ,2020-06-12
[9]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 [P]. 
古野健太 ;
稻男洋一 .
中国专利 :CN108713248A ,2018-10-26
[10]
保护膜形成膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的芯片的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
小升雄一朗 ;
佐藤美玲 .
中国专利 :CN115124743A ,2022-09-30