半导体保护膜形成用膜及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080061973.6

申请日：

2010-08-05

公开(公告)号：

CN102714186A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

平野孝吉田将人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L21301 H01L21683 H01L2329 H01L2331 H01L25065 H01L2507 H01L2518

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

苗堃;金世煜

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101656869491 IPC(主分类):H01L 23/00 专利申请号:2010800619736 申请公布日:20121003
2012-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

渡边康贵 ;

上村和惠 .

日本专利 :CN118696398A ,2024-09-24

[2]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

上村和惠 ;

渡边康贵 .

日本专利 :CN118648089A ,2024-09-13

[3]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

上村和惠 ;

渡边康贵 .

日本专利 :CN118696399A ,2024-09-24

[4]

保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P].

刘晏全 ;

陈灯桂 ;

郑亦杰 ;

王品胜 ;

林岳霆 ;

刘育铨 ;

林育琪 .

中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16

[5]

带切割片的半导体保护膜形成用膜、使用该膜的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

平野孝 ;

吉田将人 .

中国专利 :CN102318059A ,2012-01-11

[6]

半导体用保护膜、半导体装置及复合片 [P].

冈本直也 ;

池田亮平 ;

堀米克彦 .

中国专利 :CN107636825A ,2018-01-26

[7]

保护膜及保护膜的形成方法及半导体装置 [P].

小桥洸介 ;

酒井克尚 ;

白石尚义 ;

近森大亮 .

日本专利 :CN121237716A ,2025-12-30

[8]

半导体晶片保护膜形成用薄片 [P].

市六信広 ;

盐野嘉幸 .

中国专利 :CN102382584A ,2012-03-21

[9]

半导体装置制造用临时保护膜 [P].

友利直己 .

中国专利 :CN307115265S ,2022-02-18

[10]

半导体装置制造用临时保护膜 [P].

友利直己 .

中国专利 :CN306185629S ,2020-11-24

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