保护膜及保护膜的形成方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510822052.5

申请日：

2025-06-19

公开(公告)号：

CN121237716A

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

小桥洸介酒井克尚白石尚义近森大亮

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡秋瑾;宋俊寅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

渡边康贵 ;

上村和惠 .

日本专利 :CN118696398A ,2024-09-24

[2]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

上村和惠 ;

渡边康贵 .

日本专利 :CN118648089A ,2024-09-13

[3]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P].

上村和惠 ;

渡边康贵 .

日本专利 :CN118696399A ,2024-09-24

[4]

半导体保护膜形成用膜及半导体装置 [P].

平野孝 ;

吉田将人 .

中国专利 :CN102714186A ,2012-10-03

[5]

保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P].

刘晏全 ;

陈灯桂 ;

郑亦杰 ;

王品胜 ;

林岳霆 ;

刘育铨 ;

林育琪 .

中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16

[6]

保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 [P].

小桥力也 ;

稻男洋一 .

中国专利 :CN111279468A ,2020-06-12

[7]

半导体基板的保护膜形成方法 [P].

坂井伸 ;

仮屋崎弘昭 ;

青木龙彦 ;

荒木浩司 .

中国专利 :CN108885986A ,2018-11-23

[8]

保护膜形成剂、保护膜、保护膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法 [P].

真庭瞳 ;

木下哲郎 .

日本专利 :CN120202530A ,2025-06-24

[9]

保护膜形成用片、保护膜形成用片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

山本大辅 ;

米山裕之 ;

小桥力也 .

中国专利 :CN108701641A ,2018-10-23

[10]

保护膜形成方法以及保护膜形成装置 [P].

上谷一夫 ;

沟上要 ;

大江良尚 ;

盐川晃 ;

加道博行 .

中国专利 :CN101090991A ,2007-12-19

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