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半导体大硅片制造用等静压石墨高温真空炉
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410662354.6
申请日：
2024-05-27
公开(公告)号：
CN118242887B
公开(公告)日：
2024-07-26
发明(设计)人：
冯奕钰
杨林
万伟光
申请人：
福建福碳新材料科技有限公司
申请人地址：
366011 福建省三明市永安市贡川水东园区15-1号
IPC主分类号：
F27B17/00
IPC分类号：
F27D9/00
F27D1/00
代理机构：
常州市天龙专利事务所有限公司 32105
代理人：
于雅洁
法律状态：
公开
国省代码：
福建省
三明市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-25 | 公开 | 公开 |
| 2024-07-26 | 授权 | 授权 |
| 2024-07-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):F27B 17/00申请日:20240527 |