底部填充材料、半导体封装和半导体封装的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280087914.9
申请日
2022-02-28
公开(公告)号
CN118525369A
公开(公告)日
2024-08-20
发明(设计)人
増田智也 佐藤亮太 铃木真由
申请人
株式会社力森诺科
申请人地址
日本东京港区东新桥一丁目9番1号
IPC主分类号
H01L23/29
IPC分类号
H01L23/31 C08K3/36
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
王程
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体封装的制造方法 [P]. 
伊藤祐辅 .
中国专利 :CN107429041B ,2017-12-01
[2]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
李在彦 ;
康东元 ;
金多禧 ;
宋昌衍 ;
李晟旭 .
韩国专利 :CN119542310A ,2025-02-28
[3]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
T·比尔 ;
D·霍尔兹 ;
R·奥特姆巴 ;
K·希斯 .
中国专利 :CN114284228A ,2022-04-05
[4]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
姜熙源 ;
李钟周 .
中国专利 :CN108022916B ,2018-05-11
[5]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
米尔科·贝尔纳多尼 ;
拉塞·彼得里·帕尔姆 ;
吉尔伯托·库拉托拉 .
中国专利 :CN117730411A ,2024-03-19
[6]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
柳世镇 ;
朱洪燮 ;
韩元吉 .
中国专利 :CN111326430A ,2020-06-23
[7]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
J·赫格尔 ;
B·贝茨 ;
S·布拉德尔 ;
D·奥伯迈尔 .
中国专利 :CN112071816A ,2020-12-11
[8]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
范立云 ;
王德信 ;
陶源 .
中国专利 :CN111081696B ,2025-05-09
[9]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
金沅槿 ;
吴琼硕 ;
陈华日 ;
金东宽 ;
金永锡 ;
金载春 ;
黄承泰 .
中国专利 :CN111092074A ,2020-05-01
[10]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
郑显秀 ;
金泳龙 .
韩国专利 :CN117423675A ,2024-01-19