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半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410916234.4
申请日：
2024-07-09
公开(公告)号：
CN118471932B
公开(公告)日：
2024-10-01
发明(设计)人：
江德斐
王琼
庞浩
申请人：
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L23/48
IPC分类号：
H01L23/522
H01L21/768
H10N97/00
代理机构：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人：
高凌云
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-08-09 | 公开 | 公开 |
| 2024-08-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20240709 |
| 2024-10-01 | 授权 | 授权 |