半导体器件结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211030210.6

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

CN115347038A

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

叶彪韩廷瑜王东

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220826
2022-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

周维杰 ;

常靖华 .

中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22

[2]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

毛焜 ;

雷天飞 .

中国专利 :CN111146287B ,2024-08-23

[3]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

毛焜 ;

雷天飞 .

中国专利 :CN111146281B ,2024-08-23

[4]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

毛焜 ;

雷天飞 .

中国专利 :CN111146281A ,2020-05-12

[5]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

毛焜 ;

雷天飞 .

中国专利 :CN111146287A ,2020-05-12

[6]

半导体器件结构及其制备方法、半导体器件版图结构 [P].

林赞诚 .

中国专利 :CN107017243B ,2020-04-28

[7]

半导体器件芯片结构及其制备方法 [P].

曼玉选 ;

祁琼 ;

彭岩 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN110277733A ,2019-09-24

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

林坤 .

中国专利 :CN118213335A ,2024-06-18

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110896077B ,2024-12-06

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110911383A ,2020-03-24

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