半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811070392.3

申请日：

2018-09-13

公开(公告)号：

CN110896077B

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

请求不公布姓名

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110896077A ,2020-03-20

[2]

半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208655649U ,2019-03-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112447717A ,2021-03-05

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112447717B ,2024-10-18

[5]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

周维杰 ;

常靖华 .

中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 ;

崔莹 .

中国专利 :CN113410285A ,2021-09-17

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

田国军 ;

张伟光 ;

高志强 ;

王同信 ;

郑重 .

中国专利 :CN118610238A ,2024-09-06

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

郑艳 ;

蒲甜松 ;

王壮 ;

陈信全 .

中国专利 :CN118712131A ,2024-09-27

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

王维安 ;

蒲甜松 ;

陈信全 .

中国专利 :CN113140464A ,2021-07-20

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110896076A ,2020-03-20

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