半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110688897.1
申请日
2021-06-22
公开(公告)号
CN113140464A
公开(公告)日
2021-07-20
发明(设计)人
王维安 蒲甜松 陈信全
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L21266 H01L2978
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
田婷
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
孙超 ;
许文山 .
中国专利 :CN112331559A ,2021-02-05
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110896077B ,2024-12-06
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
田国军 ;
张伟光 ;
高志强 ;
王同信 ;
郑重 .
中国专利 :CN118610238A ,2024-09-06
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110896077A ,2020-03-20
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 ;
韩飘飘 ;
伯秀秀 ;
晋华东 .
中国专利 :CN115394844A ,2022-11-25
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王心旺 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
徐兵 ;
王晓雯 .
中国专利 :CN118866654A ,2024-10-29
[7]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
胡敏达 ;
张海洋 .
中国专利 :CN102693982A ,2012-09-26
[8]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张旭 ;
储郁冬 ;
陆琦 ;
赵天楚 .
中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29
[9]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王彦勋 ;
郭俊伟 .
中国专利 :CN117613072A ,2024-02-27
[10]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
方磊 .
中国专利 :CN105576026A ,2016-05-11