半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811068663.1
申请日
2018-09-13
公开(公告)号
CN110896076A
公开(公告)日
2020-03-20
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110896076B ,2024-12-10
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王晓日 ;
冒义祥 .
中国专利 :CN107785256A ,2018-03-09
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陆勇 ;
吴公一 ;
沈宏坤 ;
庞秋虎 .
中国专利 :CN114267640A ,2022-04-01
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
金华俊 ;
孙贵鹏 .
中国专利 :CN109216193B ,2019-01-15
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陆勇 ;
吴公一 ;
沈宏坤 ;
庞秋虎 .
中国专利 :CN114267640B ,2024-10-25
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈永 ;
董天化 ;
吴亮 ;
金岚 ;
包小燕 .
中国专利 :CN107527953B ,2017-12-29
[7]
半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208655648U ,2019-03-26
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
中国专利 :CN106024792A ,2016-10-12
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
日本专利 :CN114242719B ,2025-11-04
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
中国专利 :CN114242719A ,2022-03-25