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一种层状Ge<sub>1-x</sub>Sb<sub>4+x</sub>Te<sub>7</sub>单晶体及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410246422.0
申请日：
2024-03-05
公开(公告)号：
CN117822122B
公开(公告)日：
2024-06-18
发明(设计)人：
李鹏 张传林 路璐 米少波
申请人：
季华实验室
申请人地址：
528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
IPC主分类号：
C30B29/46
IPC分类号：
C30B11/00 C30B11/02 C30B29/68
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
徐凯凯
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/46申请日:20240305
2024-04-05 公开 公开
2024-06-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种层状Ge<sub>1-x</sub>Sb<sub>4+x</sub>Te<sub>7</sub>单晶体及其制备方法 [P]. 
李鹏 ;
张传林 ;
路璐 ;
米少波 .
中国专利 :CN117822122A ,2024-04-05
[2]
一种制备(Fe<sub>1-x</sub>Ni<sub>x</sub>)<sub>5</sub>GeTe<sub>2</sub>晶体的方法 [P]. 
翟昆 ;
岳栋栋 ;
崔鑫涛 ;
张宪祎 ;
柳忠元 ;
牟从普 ;
薛天宇 ;
程迎春 .
中国专利 :CN120485957A ,2025-08-15
[3]
一种Mn<sub>x</sub>Zn<sub>(1-x)</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>粉末及其制备方法 [P]. 
魏世丞 ;
王博 ;
刘铭哲 ;
王玉江 ;
梁义 ;
王昕阳 ;
刘振 ;
张杨广 ;
王鑫磊 ;
万涛 .
中国专利 :CN119569127A ,2025-03-07
[4]
一种大尺寸层状GeSb<sub>4</sub>Te<sub>7</sub>单晶及其制备方法 [P]. 
陈鹏 ;
吴宏 ;
闫艳慈 ;
李登峰 ;
刘俊 ;
丁光前 .
中国专利 :CN118996632A ,2024-11-22
[5]
一种大尺寸层状GeSb<sub>4</sub>Te<sub>7</sub>单晶及其制备方法 [P]. 
陈鹏 ;
吴宏 ;
闫艳慈 ;
李登峰 ;
刘俊 ;
丁光前 .
中国专利 :CN118996632B ,2025-04-04
[6]
一种在BaFe<sub>2</sub>As<sub>2</sub>单晶基底上制备Ba<sub>1-x</sub>Cs<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>As<sub>2</sub>超导薄膜的方法 [P]. 
王春雷 ;
汤清彬 ;
余本海 ;
涂友超 ;
陈旺阳 ;
王路斌 ;
李宜钢 .
中国专利 :CN115070047B ,2024-03-22
[7]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694A ,2024-02-20
[8]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694B ,2025-11-07
[9]
一种Li(Ni<sub>1/2</sub>Mn<sub>3/2</sub>)<sub>1-x</sub>M<sub>x</sub>O<sub>4-y</sub>N<sub>y</sub>及其制备和应用 [P]. 
周宏明 ;
李程 ;
张昕宇 ;
陈红霞 ;
杨雨甜 ;
聂日煌 ;
周梦成 ;
许双午 .
中国专利 :CN116102079B ,2024-10-18
[10]
W<sub>x</sub>NbSe<sub>2</sub>超导单晶及其制备方法 [P]. 
王锦 ;
万闻 .
中国专利 :CN118390162A ,2024-07-26
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