高压MOS晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410586257.3

申请日：

2024-05-13

公开(公告)号：

CN118173606B

公开(公告)日：

2024-07-26

发明(设计)人：

陶枝南程洋

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-26	授权	授权
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240513
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

高压MOS晶体管及其制备方法 [P].

陶枝南 ;

程洋 .

中国专利 :CN118173606A ,2024-06-11

[2]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[3]

晶体管及制备方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

项金娟 ;

李亭亭 ;

刘青 .

中国专利 :CN111816556B ,2024-01-23

[4]

晶体管及制备方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

项金娟 ;

李亭亭 ;

刘青 .

中国专利 :CN111816556A ,2020-10-23

[5]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

张艳红 .

中国专利 :CN101996885A ,2011-03-30

[6]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102386097A ,2012-03-21

[7]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

曹国豪 ;

蒲贤勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103715133A ,2014-04-09

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102487018B ,2012-06-06

[10]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102376581A ,2012-03-14

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