晶体管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010495592.4

申请日：

2020-06-03

公开(公告)号：

CN111816556A

公开(公告)日：

2020-10-23

发明(设计)人：

崔锺武金成基项金娟李亭亭刘青

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285 H01L2951 H01L2978 H01L21336 H01L27108

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20200603
2020-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管及制备方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

项金娟 ;

李亭亭 ;

刘青 .

中国专利 :CN111816556B ,2024-01-23

[2]

高压MOS晶体管及其制备方法 [P].

陶枝南 ;

程洋 .

中国专利 :CN118173606A ,2024-06-11

[3]

高压MOS晶体管及其制备方法 [P].

陶枝南 ;

程洋 .

中国专利 :CN118173606B ,2024-07-26

[4]

晶体管及其制备方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

刘金彪 ;

贺晓彬 ;

王桂磊 ;

王垚 .

中国专利 :CN111900205A ,2020-11-06

[5]

晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477953A ,2009-07-08

[6]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639B ,2024-02-02

[7]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639A ,2020-10-16

[8]

晶体管及其制备方法 [P].

万青 ;

胡钰晴 .

中国专利 :CN119907267A ,2025-04-29

[9]

晶体管及其制备方法 [P].

陈显平 ;

李万杰 ;

王黎明 ;

张旭 ;

罗厚彩 ;

王少刚 .

中国专利 :CN111524972A ,2020-08-11

[10]

晶体管及其制备方法 [P].

林艳霞 ;

曹宇 ;

张志勇 .

中国专利 :CN114824086A ,2022-07-29

← 1 2 3 4 5 →