掺杂金属氧化物的制备方法、包含掺杂金属氧化物的发光器件与电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211687816.7

申请日：

2022-12-27

公开(公告)号：

CN118255384A

公开(公告)日：

2024-06-28

发明(设计)人：

陈开敏

申请人：

TCL科技集团股份有限公司

申请人地址：

516000 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

C01G9/02

IPC分类号：

H10K50/165 H10K50/17 C01B13/14

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

吴莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 9/02申请日:20221227

共 50 条

[1]

金属氧化物掺杂方法 [P].

王彩霞 ;

墙子跃 ;

高翔 ;

吴瑶 ;

赵晓霞 ;

刘雨奇 ;

李吉红 .

中国专利 :CN117737665A ,2024-03-22

[2]

金属氧化物的制备方法、包括金属氧化物的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120229689A ,2025-07-01

[3]

氮碳掺杂金属氧化物的制备方法和氮碳掺杂金属氧化物 [P].

黄宇 ;

马美品 ;

李海军 ;

蔡惠群 .

中国专利 :CN110323437A ,2019-10-11

[4]

金属氧化物的制备方法、薄膜的制备方法、发光器件与电子设备 [P].

郭煜林 ;

吴龙佳 .

中国专利 :CN118102816A ,2024-05-28

[5]

金属氧化物的纯化方法、包括金属氧化物的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120247086A ,2025-07-04

[6]

掺杂金属氧化物的氧化铯、其制备方法、及其组合物 [P].

矢部信良 ;

东福寺浩太 ;

百濑重祯 ;

吉田荣 ;

田平一之 ;

佐藤次雄 .

中国专利 :CN1274682A ,2000-11-29

[7]

金属氧化物材料的制备方法、包括金属氧化物材料的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120166902A ,2025-06-17

[8]

掺杂的金属氧化物颗粒的制备方法 [P].

K·舒马赫 ;

R·戈尔凯尔特 ;

H·罗特 ;

H·阿尔夫 ;

A-M·罗赫尼亚 .

中国专利 :CN101238062B ,2008-08-06

[9]

掺杂的金属氧化物膜和制造该掺杂的金属氧化物膜的系统 [P].

P·吴 ;

H·龚 ;

Z·G·于 .

中国专利 :CN100573836C ,2008-03-12

[10]

金属氧化物及包含其的发光器件与显示设备 [P].

王天锋 .

中国专利 :CN117998885A ,2024-05-07

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