金属氧化物的制备方法、包括金属氧化物的光电器件与电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311874181.6

申请日：

2023-12-29

公开(公告)号：

CN120229689A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

刘铭恕

申请人：

广东聚华新型显示研究院 TCL科技集团股份有限公司

申请人地址：

510663 广东省广州市黄埔区科学城光谱中路11号云升科学园1号楼

IPC主分类号：

C01B13/32

IPC分类号：

H10K50/16 H10K50/15 C01G9/02

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

吴莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物材料的制备方法、包括金属氧化物材料的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120166902A ,2025-06-17

[2]

金属氧化物的纯化方法、包括金属氧化物的光电器件与电子设备 [P].

刘铭恕 .

中国专利 :CN120247086A ,2025-07-04

[3]

金属氧化物材料的制备方法、金属氧化物材料与光电器件 [P].

谢傲臻 ;

庄佳庆 ;

刘海坤 .

中国专利 :CN121085312A ,2025-12-09

[4]

掺杂金属氧化物的制备方法、包含掺杂金属氧化物的发光器件与电子设备 [P].

陈开敏 .

中国专利 :CN118255384A ,2024-06-28

[5]

金属氧化物功率器件的制备方法及金属氧化物功率器件 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298654B ,2017-01-04

[6]

金属氧化物的制备方法 [P].

刘少军 ;

王莉 ;

李建军 ;

何向明 ;

罗晶 ;

徐程浩 ;

尚玉明 ;

张建利 ;

高剑 ;

王要武 .

中国专利 :CN104085858A ,2014-10-08

[7]

金属氧化物的制备方法、薄膜的制备方法、发光器件与电子设备 [P].

郭煜林 ;

吴龙佳 .

中国专利 :CN118102816A ,2024-05-28

[8]

金属氧化物、金属氧化物的沉积方法及金属氧化物的沉积装置 [P].

山崎舜平 ;

神保安弘 ;

惠木勇司 ;

挂端哲弥 .

中国专利 :CN115152006A ,2022-10-04

[9]

制造金属氧化物纳米颗粒的方法、金属氧化物纳米颗粒、包括金属氧化物纳米颗粒的油墨组合物、发光元件、电子设备和电子装置 [P].

鲁承旭 ;

林载勋 ;

郑云镐 ;

崔荣镐 .

韩国专利 :CN121001965A ,2025-11-21

[10]

用块体金属氧化物制备纳米金属氧化物的方法 [P].

邹勃 ;

王英楠 ;

张品华 ;

邹广田 .

中国专利 :CN102616748B ,2012-08-01

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