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一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410492322.6
申请日：
2024-04-23
公开(公告)号：
CN118398710A
公开(公告)日：
2024-07-26
发明(设计)人：
刘大伟 陈杰 张洪涛 刘思瑞 周珊合 杨仕林 吴秋宏 何振雄
申请人：
绵阳炘皓新能源科技有限公司
申请人地址：
621000 四川省绵阳市安州区创业路9号
IPC主分类号：
H01L31/18
IPC分类号：
H01L31/0216 H01L31/06
代理机构：
成都行之专利代理有限公司 51220
代理人：
刘桔余
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-07-26 公开 公开
2024-08-13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240423
共 50 条
[1]
一种N-TOPCon电池的绕镀多晶硅去除方法 [P]. 
廖晖 ;
赵文祥 ;
王文睿 ;
杜振星 ;
何胜 ;
徐伟智 .
中国专利 :CN113948608A ,2022-01-18
[2]
一种N-TOPCon电池的绕镀多晶硅去除方法 [P]. 
廖晖 ;
赵文祥 ;
王文睿 ;
杜振星 ;
何胜 ;
徐伟智 .
中国专利 :CN113948608B ,2024-10-01
[3]
一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法 [P]. 
郎芳 ;
张伟 ;
王子谦 ;
李青娟 ;
张磊 ;
李锋 ;
史金超 ;
李龙 ;
田思 ;
陈志军 .
中国专利 :CN113745106A ,2021-12-03
[4]
一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法 [P]. 
郎芳 ;
张伟 ;
王子谦 ;
李青娟 ;
张磊 ;
李锋 ;
史金超 ;
李龙 ;
田思 ;
陈志军 .
中国专利 :CN113745106B ,2025-03-04
[5]
一种TOPCon电池绕镀多晶硅的去除方法及应用 [P]. 
沈梦超 ;
顾振华 ;
张胜军 ;
吴智涵 ;
绪欣 ;
许佳平 ;
曹育红 ;
符黎明 .
中国专利 :CN111785808A ,2020-10-16
[6]
一种N型TOPCon电池背面结构、TOPCon电池及制备方法 [P]. 
马红娜 ;
郎芳 ;
潘明翠 ;
王红芳 ;
王子谦 ;
赵学玲 ;
翟金叶 ;
孟庆超 ;
史金超 ;
于波 ;
麻超 ;
刘莹 ;
李献朋 ;
苏政 ;
周渊博 .
中国专利 :CN120603391A ,2025-09-05
[7]
一种N型TOPCon电池及其制备方法 [P]. 
郑波 .
中国专利 :CN113611756B ,2021-11-05
[8]
一种N型TOPCon电池的制备方法 [P]. 
乐雄英 ;
刘银生 ;
陈如龙 ;
杨阳 ;
陶龙忠 .
中国专利 :CN116995110B ,2024-02-27
[9]
一种N型TOPCon电池及其制备方法 [P]. 
蒋鑫 ;
吴新荣 ;
蔡伦 ;
刘向东 .
中国专利 :CN118315474A ,2024-07-09
[10]
一种N型TOPCon电池及其制备方法 [P]. 
李家栋 ;
张敏 ;
郑娜艳 ;
吴燕 ;
冯维敏 ;
王建明 ;
刘勇 .
中国专利 :CN117954520A ,2024-04-30
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