一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110837884.6

申请日：

2021-07-23

公开(公告)号：

CN113745106B

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

郎芳张伟王子谦李青娟张磊李锋史金超李龙田思陈志军

申请人：

英利能源（中国）有限公司

申请人地址：

071051 河北省保定市朝阳北大街3399号

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/3213 H10F71/00

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

张沙沙

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法 [P].

郎芳 ;

张伟 ;

王子谦 ;

李青娟 ;

张磊 ;

李锋 ;

史金超 ;

李龙 ;

田思 ;

陈志军 .

中国专利 :CN113745106A ,2021-12-03

[2]

一种TOPCon电池制备过程的去绕镀方法 [P].

贾永军 ;

代同光 ;

李栓 ;

王举亮 ;

汪梁 .

中国专利 :CN115360091A ,2022-11-18

[3]

一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池 [P].

刘大伟 ;

陈杰 ;

张洪涛 ;

刘思瑞 ;

周珊合 ;

杨仕林 ;

吴秋宏 ;

何振雄 .

中国专利 :CN118398710A ,2024-07-26

[4]

TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法 [P].

郎芳 ;

潘明翠 ;

王子谦 ;

马红娜 ;

王红芳 ;

夏新中 ;

赵学玲 ;

翟金叶 ;

张磊 ;

史金超 ;

于波 ;

刘莹 ;

麻超 .

中国专利 :CN118197970A ,2024-06-14

[5]

TOPCON电池正面绕镀多晶硅刻蚀的监控方法 [P].

郎芳 ;

潘明翠 ;

王子谦 ;

马红娜 ;

王红芳 ;

夏新中 ;

赵学玲 ;

翟金叶 ;

张磊 ;

史金超 ;

于波 ;

刘莹 ;

麻超 .

中国专利 :CN118197970B ,2024-08-02

[6]

一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法 [P].

汤欢 ;

郭宝军 ;

王静 ;

赵学玲 ;

王平 ;

马红娜 ;

郎芳 ;

史金超 ;

李锋 ;

张伟 ;

王子谦 ;

翟金叶 ;

潘明翠 ;

王红芳 ;

徐卓 ;

王丙宽 ;

张文辉 .

中国专利 :CN112349584B ,2021-02-09

[7]

一种用于topcon电池去绕镀的添加剂及其应用 [P].

张新鹏 ;

张鹏伟 ;

冯萍 ;

李侠 ;

殷政 .

中国专利 :CN114141906A ,2022-03-04

[8]

一种N-TOPCon电池的绕镀多晶硅去除方法 [P].

廖晖 ;

赵文祥 ;

王文睿 ;

杜振星 ;

何胜 ;

徐伟智 .

中国专利 :CN113948608A ,2022-01-18

[9]

一种N-TOPCon电池的绕镀多晶硅去除方法 [P].

廖晖 ;

赵文祥 ;

王文睿 ;

杜振星 ;

何胜 ;

徐伟智 .

中国专利 :CN113948608B ,2024-10-01

[10]

poly-Si绕镀去除方法及在TopCon电池制备的应用 [P].

董思敏 ;

欧文凯 ;

向亮睿 .

中国专利 :CN114883443A ,2022-08-09

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