三维半导体传感器阵列芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410170332.8

申请日：

2024-02-06

公开(公告)号：

CN118501212A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

范智勇王琛周清峰

申请人：

香港科技大学

申请人地址：

中国香港九龙清水湾

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

B81B7/04 B81C1/00

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张娜;李荣胜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省梅州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20240206
2024-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

三维半导体器件及其制造方法 [P].

金锡基 .

中国专利 :CN104241523A ,2014-12-24

[2]

半导体传感器及其制造方法 [P].

田中昌明 .

中国专利 :CN109562545A ,2019-04-02

[3]

半导体传感器及其制造方法 [P].

柴田佳彦 ;

井濑修史 .

中国专利 :CN1754270A ,2006-03-29

[4]

半导体传感器及其制造方法 [P].

安达佳孝 ;

井上胜之 .

中国专利 :CN101825506A ,2010-09-08

[5]

半导体传感器及其制造方法 [P].

花冈美咲 ;

秦久敏 .

日本专利 :CN117480365A ,2024-01-30

[6]

半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 [P].

泷泽照夫 ;

近藤贵幸 ;

轰原正义 .

中国专利 :CN101493394A ,2009-07-29

[7]

半导体传感器装置及其制造方法 [P].

金野雄志 ;

菊地广 ;

宫岛健太郎 ;

出川宗里 .

中国专利 :CN108027293A ,2018-05-11

[8]

三维叠层半导体结构及其制造方法 [P].

赖二琨 ;

施彦豪 .

中国专利 :CN105789209B ,2016-07-20

[9]

半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器 [P].

内藤孝二郎 ;

长尾和真 ;

村濑清一郎 .

中国专利 :CN109844530A ,2019-06-04

[10]

一种三维纳米气体传感器阵列及其制备方法 [P].

范智勇 ;

汤雯颖 .

中国专利 :CN118392957A ,2024-07-26

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