一种氧缺陷可调节的快充型五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111363037.7

申请日：

2021-11-17

公开(公告)号：

CN116135789B

公开(公告)日：

2024-09-17

发明(设计)人：

李驰麟郑勇健

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01M4/48

IPC分类号：

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种纳米碳插层的五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用 [P].

李驰麟 ;

陈克艺 ;

郑勇健 .

中国专利 :CN120237164A ,2025-07-01

[2]

一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 [P].

陈晗 ;

石崇福 ;

向楷雄 ;

朱裔荣 ;

周伟 ;

陈宪宏 .

中国专利 :CN107055613A ,2017-08-18

[3]

一种钼铌钨氧快充负极材料及其制备方法和应用 [P].

王选朋 ;

郭长远 ;

何青 ;

刘文豪 ;

李坚伟 .

中国专利 :CN119660798A ,2025-03-21

[4]

一种空心花球型五氧化二铌材料及其制备方法和应用 [P].

刘光印 ;

李琳博 ;

李晓雯 ;

刘雪枫 ;

丁艳华 ;

杨硕宇 ;

李波 ;

罗永松 .

中国专利 :CN119263348A ,2025-01-07

[5]

快充负极材料及其制备方法和应用 [P].

张立君 ;

黄洁 ;

李俊 ;

李勇 ;

杜宁 ;

岳敏 .

中国专利 :CN119447289A ,2025-02-14

[6]

一种快充型负极材料及其制备方法和应用 [P].

石永明 ;

陆浩 ;

刘柏男 ;

罗飞 ;

王胜强 ;

史晶 ;

杨谦 .

中国专利 :CN118198292A ,2024-06-14

[7]

一种五氧化二铌纳米片复合材料及其制备方法和应用 [P].

郭玮 ;

马建民 ;

毛玉华 .

中国专利 :CN104852015A ,2015-08-19

[8]

一种快充负极材料及其制备方法和应用 [P].

韩永琪 ;

张欢 ;

朱智渊 ;

刘范芬 ;

苑丁丁 .

中国专利 :CN115458737A ,2022-12-09

[9]

一种快充负极材料及其制备方法和应用 [P].

韩永琪 ;

张欢 ;

朱智渊 ;

刘范芬 ;

苑丁丁 .

中国专利 :CN115458737B ,2024-09-10

[10]

一种快充型石墨负极材料及其制备方法和应用 [P].

刘东海 ;

肖周杰 ;

樊浩宇 ;

王志勇 .

中国专利 :CN115566153A ,2023-01-03

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