一种纳米碳插层的五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311836856.8

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN120237164A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

李驰麟陈克艺郑勇健

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

C01G33/00 C01B32/15 H01M4/48 H01M4/62 H01M10/0525 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20231228
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 [P].

陈晗 ;

石崇福 ;

向楷雄 ;

朱裔荣 ;

周伟 ;

陈宪宏 .

中国专利 :CN107055613A ,2017-08-18

[2]

一种五氧化二铌纳米片复合材料及其制备方法和应用 [P].

郭玮 ;

马建民 ;

毛玉华 .

中国专利 :CN104852015A ,2015-08-19

[3]

一种氧缺陷可调节的快充型五氧化二铌负极材料及其制备方法和应用 [P].

李驰麟 ;

郑勇健 .

中国专利 :CN116135789B ,2024-09-17

[4]

一种五氧化二铌/碳双量子点纳米复合材料及其制备方法和应用 [P].

潘安强 ;

林建德 .

中国专利 :CN108448104B ,2018-08-24

[5]

一种空心花球型五氧化二铌材料及其制备方法和应用 [P].

刘光印 ;

李琳博 ;

李晓雯 ;

刘雪枫 ;

丁艳华 ;

杨硕宇 ;

李波 ;

罗永松 .

中国专利 :CN119263348A ,2025-01-07

[6]

一种五氧化二铌/碳复合负极材料的制备方法及其储能应用 [P].

侯纪伟 ;

吴邱奇 ;

凌彤 ;

金艳欣 .

中国专利 :CN120117653A ,2025-06-10

[7]

一种海胆状五氧化二铌材料及其制备方法和应用 [P].

杨妍 ;

刘光印 ;

程新峰 ;

孙瑞雪 ;

乔占平 ;

党元林 .

中国专利 :CN111994953A ,2020-11-27

[8]

一种硅氧碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

柴丰涛 ;

刘艳侠 ;

霍锋 ;

刘凡 ;

刘景博 ;

郭真真 ;

钱程 ;

王子怡 .

中国专利 :CN119542387A ,2025-02-28

[9]

五氧化二铌纳米棒的制备方法 [P].

徐成彦 ;

甄良 .

中国专利 :CN101391770A ,2009-03-25

[10]

一种纳米五氧化二铌/FTO电极材料的制备方法及其用途 [P].

连加彪 ;

李华明 ;

汪婷 ;

赵岩 .

中国专利 :CN106206077B ,2016-12-07

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